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2SK2211/2M

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  • 2SK2211/2M
    2SK2211/2M

    2SK2211/2M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PANASONIC

  • 09/10+

  • -
  • 百分百原裝正品,質量保障價格及優(yōu)

  • 2SK2211/2M
    2SK2211/2M

    2SK2211/2M

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2900

  • PANASONIC

  • ROHS

  • 1315+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • 2SK2211/2M
    2SK2211/2M

    2SK2211/2M

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2850

  • PANASONIC

  • SOT-89

  • 201333

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存,400-800-03...

  • 2SK2211/2M
    2SK2211/2M

    2SK2211/2M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SOT-89

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!!!

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2SK2211/2M 技術參數(shù)
  • 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A,SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:10V 額定電流:- 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)
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