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2SK3019-TP

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
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  • 1
2SK3019-TP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
  • 制造商
  • micro commercial co
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 100mA(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.5V @ 100μA
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 13pF @ 5V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 150mW(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 8 歐姆 @ 10mA,4V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TA)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • SOT-523
  • 封裝/外殼
  • SOT-523
  • 標準包裝
  • 1
2SK3019-TP 技術參數
  • 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):200mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 2SK3018T106 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SK3004 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK3003 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q)
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