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2SK3230C

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK3230C-T1
    2SK3230C-T1

    2SK3230C-T1

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • NEC

  • SC89

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 2SK3230C-T1-A
    2SK3230C-T1-A

    2SK3230C-T1-A

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 81706

  • Renesas Electronics Ameri

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2SK3230C-T1-A
    2SK3230C-T1-A

    2SK3230C-T1-A

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 15000

  • RENESAS

  • SOT523

  • 15+

  • -
  • 全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

  • 2SK3230C-T1-A
    2SK3230C-T1-A

    2SK3230C-T1-A

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 30000

  • NEC

  • SOT-523

  • 2014+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
2SK3230C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NEC
  • 制造商全稱
  • NEC
  • 功能描述
  • JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3230C 技術參數
  • 2SK3199 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 2SK3132(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):95 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11000pF @ 10V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3PL 供應商器件封裝:TO-3P(L) 標準包裝:25 2SK3128(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SK3127(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:3,000 2SK3079ATE12LQ 功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:3A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:33.5dBmW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-271AA 供應商器件封裝:PW-X 標準包裝:1 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q)
配單專家

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