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2SK3391JXTB

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2SK3391JXTB 技術參數
  • 2SK3388(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-97 供應商器件封裝:TFP(9.2x10.7) 標準包裝:1,500 2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):107μA @ 2V 漏極電流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GTL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):107μA @ 2V 漏極電流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GSL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):107μA @ 2V 漏極電流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GRL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):107μA @ 2V 漏極電流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M)
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