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2SK3796-2-TL-E

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 26492

  • onsemi

  • TO-236-3, SC-59, SOT

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2SK3796-2-TL-E
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ON SEMICO

  • 1521+

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

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  • 2SK3796-2-TL-E
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 201321

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存。400-800-03...

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  • 功能描述
  • JFET NCH J-FET
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
2SK3796-2-TL-E 技術參數
  • 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應商器件封裝:TO-220 隔離的標片 標準包裝:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:12dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:32dBm 電壓 - 額定:7.5V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SC-62 標準包裝:1 2SK3748-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-94 供應商器件封裝:TO-3PF-3 標準包裝:30 2SK3748 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PML 標準包裝:100 2SK3747-MG8 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PML 標準包裝:25 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q)
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