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2SK4177-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK4177-E
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
24473
ON/安森美
D2PAK
22+
-

2SK4177-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ON
D2PAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

2SK4177-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
94879
onsemi
TO-263-3, D虜Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

2SK4177-E
深圳市高創鑫電子科技有限公司
深圳市高創鑫電子科技有限公司
聯系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質：營業執照
12500
onsemi
SMP-FD
2023+
-
原裝正品現貨，假1罰100

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1

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2SK4177-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4177-E PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

2SK4177-E 技術參數

2SK4177-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK4177-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:1 2SK4171 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:135nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6900pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:100 2SK4151TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 500mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:98pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2SK4150TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 歐姆 @ 200mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 25V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F)