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2SK801-Z-T2

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  • 2SK801-Z-T2
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • TO-252

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK801-Z-T2
    2SK801-Z-T2

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • NEC

  • TO-252

  • 22+

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  • 全新原裝現貨供應

  • 2SK801-Z-T2
    2SK801-Z-T2

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66890

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  • 22+

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  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • 2SK801-Z-T2
    2SK801-Z-T2

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐

    電話:1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66890

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  • TO-252

  • 22+

  • -
  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • 2SK801-Z-T2
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 2800

  • NEC

  • TO-252

  • 假一賠十?。?/p>

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  • 絕對原裝現貨!

  • 2SK801-Z-T2
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  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 2800

  • NEC

  • TO-252

  • 2012+

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  • 只做原裝正品

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2SK801-Z-T2 技術參數
  • 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12
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