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2SK848

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  • 2SK848
    2SK848

    2SK848

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 10000

  • NEC

  • SOT-89

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 2SK848
    2SK848

    2SK848

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • NEC

  • SOT-89

  • 18+

  • -
  • 專業SMD MOS

  • 2SK848
    2SK848

    2SK848

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • NEC

  • SOT-89

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-89
2SK848 技術參數
  • 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12
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