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2N2369A

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW SS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N2369A 技術參數
  • 2N2369 功能描述:NPN MED PWR HS TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 基本零件編號:2N2369 標準包裝:500 2N2368 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):400mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10mA,1V 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N2329U4 功能描述:DIODE SILICON CTRL 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:過期 標準包裝:1 2N2329AU4 功能描述:DIODE SILICON CTRL 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:過期 標準包裝:1 2N2329AS 功能描述:DIODE SILICON CTRL 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:過期 標準包裝:1 2N2480A 2N2481 2N2484 2N2484UA 2N2484UB 2N2604 2N2605 2N2605UB 2N2639 2N2640 2N2641 2N2642 2N2643 2N2644 2N2652 2N2652A 2N2720 2N2721
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