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2N2646

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功能描述
兩極晶體管 - BJT Silicon Unijuction
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N2646 技術參數

2N2644 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2643 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2642 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2641 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2640 功能描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:40MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N2857 2N2857UB 2N2880 2N2895 2N2903 2N2903A 2N2904 2N2904A 2N2904AL 2N2905 2N2905A 2N2905AL 2N2906 2N2906A 2N2906AL 2N2906AUA 2N2906AUB 2N2907