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2N2894

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功能描述
兩極晶體管 - BJT PNP Fast Sw SS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N2894 技術參數

2N2880 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N2857UB 功能描述:RF Transistor NPN 15V 40mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N2857 功能描述:TRANS NPN 15V 40MA TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 450MHz 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:2,000 2N2814 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N2813 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N2906 2N2906A 2N2906AL 2N2906AUA 2N2906AUB 2N2907 2N2907A 2N2907A DL 2N2907A W/GOLD 2N2907AL 2N2907AUA 2N2907AUB 2N2913 2N2914 2N2915 2N2915A 2N2916 2N2916A