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2N3114

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN High Volt
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N3114 技術參數

2N3108 功能描述:NPN SS AMP 5W TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，1V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 基本零件編號:2N3108 標準包裝:100 2N3057A 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46-3 標準包裝:1 2N3055HG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055H 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055G 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A 2N336ALT2 2N336AT2 2N336LT2 2N336T2 2N3390 2N3390_D75Z 2N3391A