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2N3585

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN High Power
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N3585 技術參數

2N3584 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3583 功能描述:TRANS NPN 175V 1A TO-66 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 125mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:35W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-213AA，TO-66-2 供應商器件封裝:TO-66 標準包裝:30 2N3507U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3507L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707