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2N5191G

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 4A 60V 40W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5191G 技術參數

2N5191 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束標準包裝:1,000 2N5190G 功能描述:TRANS NPN 40V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N5190 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束標準包裝:1,000 2N5179 功能描述:TRANS NPN 12V 0.05A TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 200MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:200 2N5172_D75Z 功能描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5195G 2N5204 2N5209 2N5210 2N5210_D81Z 2N5210_J05Z 2N5210_S00Z 2N5210BU 2N5210NMBU 2N5210TA 2N5210TAR 2N5210TF 2N5210TFR 2N5224 2N5226 2N5232A 2N5237 2N5238