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2N5550

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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5550 技術參數

2N5547JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5547JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5547JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5546JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5546JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA 2N5551RLRAG