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2N6027RLRAG

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功能描述
SCR 40V 300mW PUT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大轉折電流 IBO
480 A
額定重復關閉狀態電壓 VDRM
600 V
關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
開啟狀態 RMS 電流 (It RMS)
正向電壓下降
1.6 V
柵觸發電壓 (Vgt)
1.3 V
最大柵極峰值反向電壓
5 V
柵觸發電流 (Igt)
35 mA
保持電流（Ih 最大值）
75 mA
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube

2N6027RLRAG 技術參數

2N6027RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:10 2N6027RL1G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:1 2N6027RL1 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標準包裝:2,000 2N6027G 功能描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）標準包裝:5,000 2N6027 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件狀態:在售電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:6V 電壓 - 偏移（Vt）:1.6V 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:50μA 電流 - 峰值:2μA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）標準包裝:2,500 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049