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2N6292G

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 7A 70V 40W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N6292G 技術參數

2N6292 功能描述:TRANS NPN 70V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:70V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6290 功能描述:TRANS NPN 50V 7A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6288G 功能描述:TRANS NPN 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6288 功能描述:TRANS NPN 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3A，4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6287G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 10A，3V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6329 2N6330 2N6338 2N6338G 2N6339 2N6340 2N6341 2N6341G 2N6344AG 2N6344G 2N6348AG 2N6349AG 2N6350 2N6352 2N6353 2N6377 2N6383 2N6384