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2N7000

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
2N7000 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2N7000 技術參數
  • 2N6990 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:4 NPN(四路) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-扁平封裝 供應商器件封裝:14-扁平封裝 標準包裝:1 2N699 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N6989UTX 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:4 NPN(四路) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-CLCC 供應商器件封裝:20-CLCC 標準包裝:1 2N6989U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6989 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:4 NPN(四路) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:TO-116 標準包裝:1 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG 2N7000RLRPG 2N7000TA 2N7002 2N7002 BK 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7
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