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2SB169

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2SB169 技術參數

2SB1689T106 功能描述:TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10V 0.5A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 8mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SB167900L 功能描述:TRANS PNP 10V 0.5A S-MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 8mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SB1649 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 15A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:45MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SB1648 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 17A MT200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 1.2A，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:45MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:250 2SB1705TL 2SB1706TL 2SB1707TL 2SB1708TL 2SB1709TL 2SB1710TL 2SB1722J0L 2SB1730TL 2SB1731TL 2SB1732TL 2SB1733TL 2SB315A-2MBI1200U4G-170 2SB315A-2MBI800U4G-120 2SB315A-2MBI800U4G-170 2SB315A-2MBI800VT-170E 2SB315A-5SND0800M170100 2SB315A-CM1200DC-34N 2SB315A-CM800DZ-34H