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2SC5227

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制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications

2SC5227 技術參數

2SC5226A-5-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:135 @ 20mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:1 2SC5226A-4-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:1 2SC5201,T6MURAF(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC5201,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC5201,F(J 功能描述:TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC5242RTU 2SC5245A-4-TL-E 2SC5277A-2-TL-E 2SC5287 2SC5291S-AY 2SC5336-AZ 2SC5336-T1-AZ 2SC5337-AZ 2SC5338-AZ 2SC5338-T1-AZ 2SC5347AE-TD-E 2SC5347AF-TD-E 2SC536300L 2SC536NF-NPA-AT 2SC536NG-NPA-AT 2SC5374A-TL-E 2SC5414AE 2SC5414AE-AA