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2SC5343

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制造商
BILIN
制造商全稱
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SC5343 技術參數

2SC5338-T1-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.8W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 2SC5338-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.8W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5337-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:8.3dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 50mA, 10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5336-T1-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC5336-AZ 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5414AF-AA 2SC5415AE-TD-E 2SC5415AF-TD-E 2SC54190RA 2SC5439(F) 2SC5454-A 2SC5454-T1-A 2SC5455-A 2SC5455-T1-A 2SC5459(TOJS,Q,M) 2SC5488A-TL-H 2SC5488-TL-E 2SC5490A-TL-H 2SC5501A-4-TR-E 2SC5508-A 2SC5508-T2-A 2SC5509-A 2SC5509-T2-A