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2SK16

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  • 2SK160
    2SK160

    2SK160

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知

  • 12000

  • RENESAS

  • SOT-23

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SK1641
    2SK1641

    2SK1641

  • 深圳市品業電子有限公司
    深圳市品業電子有限公司

    聯系人：李小姐

    電話：0755-23895664

    地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 38155

  • TOS

  • TO-3P

  • 咨詢

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  • 庫存每天變動，最好QQ咨詢

  • 2SK1602
    2SK1602

    2SK1602

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業執照

  • 1650

  • tosh

  • IN STOCK: 500/bulk/i

  • dc01

  • -

  • 公司現貨！只做原裝！

  • 2SK1624L
    2SK1624L

    2SK1624L

  • 深圳市華雄半導體（集團）有限公司
    深圳市華雄半導體（集團）有限公司

    聯系人：苗鳳軍

    電話：17623594308

    地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質：營業執照

  • 66666

  • HITACHI/日立

  • TO-252

  • 2207+

  • -

  • 只做原裝進口！正品支持實單！

  • 2SK160A
    2SK160A

    2SK160A

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現貨，代找緊缺料

  • 2SK1645V-04-TR-E
    2SK1645V-04-TR-E

    2SK1645V-04-TR-E

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場1713室

  • 39000

  • SANYO/三洋

  • SMD

  • 08+

  • -

  • 優勢現貨庫存實單可談

2SK16 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
2SK16 技術參數
  • 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1342-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1341-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:980pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q)
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