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參數資料
| 型號： | 25N90 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HiPerFET Power MOSFETs |
| 中文描述： | HiPerFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 25N90 |
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GS
= 1 M
900
900
V
V
V
GS
V
GSM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
D25
T
C
= 25 C
26N90
25N90
26N90
25N90
26N90
25N90
26
25
A
I
DM
T
C
= 25 C, pulse width limited by T
JM
104
100
26
25
A
I
AR
T
C
= 25 C
A
E
AR
E
AS
T
C
= 25 C
T
C
= 25 C
64
3
mJ
J
dv/dt
I
S
T
J
I
, di/dt 100 A/ s, V
DD
V
DSS
150 C, R
G
= 2
5
V/ns
P
D
T
C
= 25 C
560
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
T
L
M
d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
C
Mounting torque
TO-264
0.4/6
Nm/lb.in.
PLUS 247
TO-264
6
10 g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
900
typ.
max.
V
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 3mA
V
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8mA
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
3.0
5.0
200
100
V
nA
A
mA
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
26N90
25N90
2
R
DS(on)
0.3
0.33
Single MOSFET Die
Features
International standard packages
Low R
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and ighting controls
Advantages
PLUS 247
TM
package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
HiPerFET
TM
Power MOSFETs
98553D (9/99)
PLUS 247
TM
(IXFX)
G
D
(TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
S
G
D
(TAB)
TO-264 AA (IXFK)
V
DSS
900 V 26 A 0.30
900 V 25 A 0.33
I
DSS
R
DS(on)
t
rr
250 ns
250 ns
IXFK/IXFX 26N90
IXFK/IXFX 25N90
Preliminary data sheet
S
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25YD33 | RES NET BUSSED 56K OHM 8-SIP |
| 25Y | AC Line Rated Disc Capacitors |
| 25YD10 | AC Line Rated Disc Capacitors |
| 25YD15 | AC Line Rated Disc Capacitors |
| 25YD39 | AC Line Rated Disc Capacitors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 25NA100MEFC8X11.5 | 功能描述:CAP ALUM 100UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:* 標準包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時為 2000 小時 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點:通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
| 25NA10MEFC5X11 | 功能描述:10μF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:NA 包裝:散裝 零件狀態:有效 電容:10μF 容差:±20% 額定電壓:25V ESR（等效串聯電阻）:- 不同溫度時的使用壽命:85°C 時為 2000 小時 工作溫度:-40°C ~ 85°C 極化:雙極 應用:通用 紋波電流:- 阻抗:- 引線間距:0.079"（2.00mm） 大小/尺寸:0.197" 直徑（5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.492"（12.50mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 標準包裝:3,000 |
| 25NA220MEFC10X12.5 | 功能描述:CAP ALUM 220UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:* 標準包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時為 2000 小時 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點:通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
| 25NA330M10X16 | 功能描述:CAP ALUM RAD 制造商:rubycon 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1,000 |
| 25NA330MEFC10X16 | 功能描述:CAP ALUM 330UF 25V 20% BI-P RAD RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:* 標準包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時為 2000 小時 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點:通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝 |
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