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參數資料
| 型號： | 27 - 31 GHz HPA |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 27 - 31 GHz GaAs High Power Amplifier MMIC(27 - 31 GHz高功率砷化鎵微波放大器) |
| 中文描述： | 27 - 31千兆赫的高功率放大器砷化鎵微波單片集成電路（27 - 31千兆赫的高功率砷化鎵微波放大器） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | 27 - 31 GHZ HPA |
Data Sheet
1
2001-01-01
Description
This two-stage GaAs MMIC high power amplifier is intended for use in radio link
applications. It provides an output power of 26 dBm at 1 dB gain compression. The
device is fabricated with a 0.18 micron Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs/GaAs High
Electron Mobility Transistor processing technology.
27 - 31 GHz GaAs High Power
Amplifier MMIC
Preliminary Data Sheet
27 - 31 GHz HPA
Two-Stage Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) HEMT Amplifier
Input/Output matched to 50
Frequency range: 27 GHz to 31 GHz
Gain > 11 dB
P
–
1dB
> 26 dBm
P
SAT
> 28 dBm
Chip size: 2.71 mm
×
3.0 mm
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering Code
Package
27 - 31 GHz HPA
–
on request
Chip
Electrical Specifications
(
V
G
= 0.3 V,
V
D
= 5 V,
I
D
= 1020 mA)
Parameter
Limit Values
Unit
Test Conditions
min.
typ.
max.
Frequency Range
27
–
31
GHz
–
P
–
1dB
@ 30 GHz
P
SAT
@ 30 GHz
Gain @ 30 GHz
–
26
–
dBm
–
–
28
–
dBm
–
–
11
–
dB
–
Input Return Loss
–
<
–
10
–
dB
–
Output Return Loss
–
<
–
10
–
dB
–
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 27 - 32 GHz Mixer | 27 - 32 GHz GaAs Mixer MMIC(27 - 32 GHz砷化鎵微波混頻器) |
| 27 - 33 GHz Tripler | 27 - 33 GHz GaAs Tripler MMIC(28 - 33 GHz砷化鎵微波三倍頻器) |
| 27.1B.241.A005G | 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers |
| 270.1 | 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers |
| 270.5 | 3.0V to 5.5V, 1.25Gbps/2.5Gbps LAN Laser Drivers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2731GN-110M | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2731GN-110M - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSISTOR GAN 55-QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR GAN |
| 2731GN-200M | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2731GN-200M - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSISTOR GAN 55-QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR GAN |
| 273-1K | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 1Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數:100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| 273-1K/AP | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 USE 273-1K/AP-RC 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數:100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| 273-1K/AP-RC | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 1Kohms 1% 50PPM RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數:100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
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