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參數資料
型號: 29F010
廠商: Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述: 1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
中文描述: 1兆位(128畝× 8位)的CMOS 5.0伏只,統一部門快閃記憶體
文件頁數: 1/20頁
文件大小: 402K
代理商: 29F010
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September 2005
M29F010B
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
ACCESS TIME: 45 ns
PROGRAMMING TIME
– 8 μs per Byte typical
8 UNIFORM 16 KBytes MEMORY BLOCKS
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Device Code: 20h
ECOPACK
PACKAGES AVAILABLE
TSOP32 (N)
8 x 20mm
PLCC32 (K)
Figure 1. Logic Diagram
AI02735
17
A0-A16
W
DQ0-DQ7
VCC
M29F010B
E
VSS
8
G
相關PDF資料
PDF描述
29F040 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
29F040 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
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29F200 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
29F68QCX 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
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參數描述
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