- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄222233 > 2KBP06M-E4/51 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2KBP06M-E4/51 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 橋式整流 |
| 英文描述： | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | 2KBP06M-E4/51 |
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88532
Revision: 15-Apr-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
FEATURES
UL recognition file number E54214
Ideal for printed circuit board
High surge current capability
High case dielectric strength
Solder dip 260 °C, 40 s
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave
rectification
for
switching
power
supply,
home
appliances, office equipment, and telecommunication
applications.
MECHANICAL DATA
Case: KBPM
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Silver
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD22-B102
E4 suffix for consumer grade
Polarity: As marked on body
e4
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
2 A
VRRM
50 V to 1000 V
IFSM
60 A
IR
5 A
VF
1.1 V
TJ max.
165 °C
Case Style KBPM
+~
~
+
~
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
140
280
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
800
1000
V
Max. average forward output rectified current
at TA = 55 °C
IF(AV)
2.0
A
Peak forward surge current single half
sine-wave superimposed on rated load
IFSM
60
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)
I2t
15
A2s
Operating junction and
storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 165
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2KBP02G | 2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP06G | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2KBP10G | 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 2MBI100S-120 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 2MBI400P-140 | 400 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2KBP06ML-36E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 - 晶粒 零件狀態(tài):停產 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600 |
| 2KBP06ML-5301E4/72 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:200 |
| 2KBP06ML-5303E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600 |
| 2KBP06ML-6145E4/51 | 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 二極管類型:單相 技術:標準 電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3.14A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 165°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:600 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。