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參數資料
| 型號： | 2N1131 |
| 廠商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | 2N1131 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1132 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1131 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1132 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1132 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N1136B | 6 A, 80 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N1131 JAN | 制造商:MISCELLANEOUS MANUFACTURERS 功能描述:SEMICONDUCTOR TRANSISTOR |
| 2N1131A | 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
| 2N1131B | 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 |
| 2N1131J | 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
| 2N1131L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 0.6A 3PIN TO-5 - Bulk |
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