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參數(shù)資料
型號: 2N1475
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至5
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 759K
代理商: 2N1475
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PDF描述
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2N1477 TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2N1480 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N1481 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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