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參數資料
| 型號： | 2N1479 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2N1479 |
Central
Semiconductor Corp.
TM
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1482 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N1480 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N1481 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N1479 | Small Signal Transistors |
| 2N1480 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N1480 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1481 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1482 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1483 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 3A 3PIN TO-8 - Bulk |
| 2N1483A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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