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參數資料
| 型號： | 2N2217 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | 2N2217 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2217 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2217 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2219A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N2219A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N2218 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 30V 0.8A 3PIN TO-39 - Bulk |
| 2N2218_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:NPN-SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
| 2N2218-2N2219 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH-SPEED SWITCHES |
| 2N2218A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2218AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-39 |
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