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參數資料
| 型號： | 2N2219A |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Speed Switches(硅平面外延工藝NPN晶體管(用于高速開關)) |
| 中文描述： | 高速開關（硅平面外延工藝npn型晶體管（用于高速開關）） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2N2219A |
2N2219A
2N2222A
HIGH SPEED SWITCHES
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon planar
epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
currents and low saturationvoltage.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
November 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Parameter
Value
75
40
6
0.8
Unit
V
V
V
A
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
for
2N2219A
for
2N2222A
at T
case
≤
25
o
C
for
2N2219A
for
2N2222A
0.8
0.5
3
1.8
W
W
W
W
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
-65 to 200
175
TO-18
TO-39
2N2219A approved to CECC 50002-100,
2N2222A approved to CECC 50002-101
availableon request.
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2219 | CABLE TIE STANDARD NAT 15.3,1 |
| 2N2219A | NPN switching transistors |
| 2N2219 | NPN switching transistors |
| 2N2219 | HIGH-SPEED SWITCHES |
| 2N2219A | NPN Silicon Planar Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N2219A | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5 |
| 2N2219A_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED SWITCHES |
| 2N2219A_11 | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON |
| 2N2219A-B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219A-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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