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參數資料
| 型號： | 2N2906 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封裝： | TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2N2906 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3846 | 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3846 | 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3846 | 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3847 | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3850 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N2906/A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP Switching Transistors |
| 2N2906_12 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N2906A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2906A_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon PNP Transistor |
| 2N2906A_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RADIATION HARDENED |
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