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參數資料
| 型號： | 2N2906E |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | 2.0A,100V,25NS,UF Avalanche,SMD |
| 中文描述： | 外延平面PNP晶體管（通用，開關） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N2906E |
2002. 9. 17
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N2906E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: I
CEX
=-50nA(Max.), I
BL
=-50nA(Max.)
@V
CE
=-30V, V
EB
=-3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: V
CE(sat)
=-0.4V(Max.) @I
C
=-50mA, I
B
=-5mA.
Low Collector Output Capacitance
: C
ob
=4.5pF(Max.) @V
CB
=5V.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
+
+
+
+
A
A1
B1
C
TES6
1.6 0.05
1.0 0.05
1.6 0.05
1.2 0.05
0.50
+
+
+
0.2 0.05
0.5 0.05
0.12 0.05
B
D
H
J
B1
B
D
A
A
C
C
J
H
1
2
3
6
4
P
P
P
5
5
1. Q EMITTER
2. Q BASE
3. Q BASE
4. Q COLLECTOR
5. Q EMITTER
6. Q COLLECTOR
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Collector Current
I
C
-200
mA
Base Current
I
B
-50
mA
Collector Power Dissipation
P
C
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
* Total Rating
1
Q1
2
3
6
5
4
Q2
Type Name
Marking
Z A
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2907ACSM | High Speed Medium Power PNP Switching Transistor In Hermetic Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(高速、中等功率、開關型PNP晶體管（高可靠性、陶瓷表貼封裝）) |
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| 2N2907A | General Purpose Amplifiers and Switches(硅平面外延工藝PNP晶體管(用于高速飽和開關)) |
| 2N2920DCSM-QR-B | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N2920ADCSM | NPN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N2906E_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:Laser Marking |
| 2N2906J.TX.V | 制造商:RAYTHEON 制造商全稱:RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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