型號: | 2N3012.MOD |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 200 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
封裝: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 10K |
代理商: | 2N3012.MOD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3012 | 200 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
2N3019-JQR-BE4 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3019G4 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3019-JQR-B | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3019DCSMG4 | 1000 mA, 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N3013 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3014 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3015 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3016 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 1A 3PIN TO-5 - Bulk |
2N3017 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 5A 3PIN TO-5 - Bulk |