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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3055/3 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2N3055/3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N3055A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055A/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistor |
| 2N3055A_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors |
| 2N3055AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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