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參數資料
型號: 2N3055G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon Power Transistors
中文描述: 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: LEAD FREE, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 167K
代理商: 2N3055G
A
相關PDF資料
PDF描述
2N3055H Complementary Silicon Power Transistors
2N3055 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS
2N3055_MJ2955 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS
2N3055A 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS
2N3055 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2N3055H 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3055H 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
2N3055HG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3055HV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TO-3 Power Package Transistors (NPN)
2N3055J 制造商: 功能描述:
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