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參數資料
| 型號： | 2N329B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至5 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 759K |
| 代理商： | 2N329B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3475 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-5/16 |
| 2N3611 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
| 2N3612 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
| 2N3613 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
| 2N3614 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N330 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 50MA I(C) |
| 2N3300 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3301 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3302 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3303 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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