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參數(shù)資料
型號: 2N339
廠商: SEMITRONICS CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46
封裝: TO-11, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 474K
代理商: 2N339
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N1021 7 A, 50 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N457A 7 A, 30 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N1022A 7 A, 55 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N458B 7 A, 50 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N1039 3 A, 60 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3390 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3390_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N3390_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3390_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3390A 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
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