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參數資料
| 型號： | 2N3411G4 |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-77 |
| 封裝： | TO-77, 8 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2N3411G4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3169.MODR4 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3347.MOD | 30 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77 |
| 2N3167R4 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3420-LCC4 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3421-SM | 3000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3414 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N3415 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 500mA BULK HFE/540 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3415 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N3415_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N3415_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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