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參數資料
型號: 2N3417
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大?。?/td> 111K
代理商: 2N3417
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
2N3417 APM 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 3mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,4.5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,000
2N3417"D75Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF TRANSISTOR NPN 50V TO-92
2N3417 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor
2N3417/D89Z 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N3417_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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