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參數資料
| 型號： | 2N3441 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 3 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 封裝： | TO-66, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 13K |
| 代理商： | 2N3441 |
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukV
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
j
, T
stg
160V
140V
7V
3A
2A
25W
0.142 W /°C
–65 to 200°C
2N3441
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
2
2
1
1
3.68
(0.145) rad.
max.
3.61 (0.142)
3.86 (0.145)
rad.
0
0
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
9.14 (0.360)
min.
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
1
1
MEDIUM POWER
SILICON NPN
TRANSISTOR
FEATURES
Low Saturation Voltages
High Voltage Ratings
Maximum Safe–Operating–Area
Curves for DC and Pulse Operation.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
Prelim. 7/94
LA B
S E M E
TO–66
PIN 1 — Base
PIN 2 — Emitter
Case is Collector.
APPLICATIONS
Series and Shunt Regulators
Audio Amplifiers
Power Switching Circuits
Solenoid and Relay Drivers
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3441 | POWER TRANSISTORS(3A,140V,25W) |
| 2N3449 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| 2N186A | Open-Drain SOT µP Reset Circuit |
| 2N2635 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N808 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3442 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3442 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
| 2N3442/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power Industrial Transistors |
| 2N3442_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS |
| 2N3442G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 140V 117W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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