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參數資料
型號: 2N3467
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
封裝: TO-39, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 55K
代理商: 2N3467
TECHNICAL DATA
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/348
Devices
Qualified Level
2N3467
2N3467L
2N3468
2N3468L
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
2N3467
2N3467L
2N3468
2N3468L
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
50
Vdc
Collector-Base Voltage
VCBO
40
50
Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current
IC
1.0
Adc
Total Power Dissipation
@ TA = +25
0C(1)
@ TC = +25
0C(2)
PT
1.0
5.0
W
Operating & Storage Junction Temperature Range
Top, Tstg
-55 to +175
0C
1) Derate linearly 5.71 mW/
0C for TA > +250C
2) Derate linearly 28.6 mW/
0C for TC > +250C
TO-39* (TO-205AD)
2N3467, 2N3468
TO-5*
2N3467L, 2N3468L
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Current
IC = 10 mAdc
2N3467, L
2N3468, L
V(BR)CBO
40
50
Vdc
Emitter-Base Breakdown Current
IE = 10 Adc
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Current
IC = 10 mAdc
2N3467, L
2N3468, L
V(BR)CEO
40
50
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
VCB = 30 Vdc
ICBO
100
ηAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
VEB = 3.0 Vdc, VCE = 30
ICEX
100
nAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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PDF描述
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2N3471 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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