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參數資料
| 型號： | 2N3502 |
| 英文描述： | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管) |
| 中文描述： | 進步黨外延硅平面晶體管（民進黨外延平面硅晶體管） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 2N3502 |
2N3502
2N3503
2N3504
2N3505
Prelim. 4/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
- 60V
-60V
-5V
2N3502
2N3503
-45V
-45V
-5V
2N3504
2N3505
3 W
0.7 W
1.3 W
0.4 W
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL
TRANSISTORS
FEATURES
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP
TRANSISTOR
APPLICATIONS:
These PNP silicon planar epitaxial trasistors
are designed for digital and analog
applications at current levels up 0.5 amps.
Maximum Voltages
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Maximum Power Dissipation
P
D
P
D
Total Dissipation @ 25°C Case Temperature
Total Dissipation@ 25°C Free Air Temperature
T
J
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
TO18 METAL PACKAGE
PIN 1 – Emitter
PIN 2 – Base
TO5 METAL PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
PIN 3 – Collector
PIN 1 – Emitter
PIN 2 – Base
PIN 3 – Collector
1
3
2
2.54 (0.100)
Nom.
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
dia.
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
5
4
1
m
2N3503
2N3505
2N3502
2N3504
-65
°
C to +200
°
C
200
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3503 | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管) |
| 2N3504 | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管) |
| 2N3505 | PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(PNP外延平面硅晶體管) |
| 2N3503 | Small Signal Transistors |
| 2N3504 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3503 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3504 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3505 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3506 | 制造商:Motorola 功能描述:3506 MOT PULL N5F3B |
| 2N3506_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
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