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參數資料
| 型號： | 2N3507AL |
| 廠商： | Semicoa Semiconductor |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | 2N3507AL |
2N3507AL
Silicon NPN Transistor
Data Sheet
Description
SEMICOA offers:
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
JAN level (2N3507ALJ)
JANTX level (2N3507ALJX)
JANTXV level (2N3507ALJV)
JANS level (2N3507ALJS)
QCI to the applicable level
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV and JANS
Radiation testing (total dose) upon request
Please contact SEMICOA for special configurations
www.
SEMICOA
.com or (714) 979-1900
Applications
General purpose switching transistor
Low power
NPN silicon transistor
Features
Hermetically sealed TO-5 metal can
Also available in chip configuration
Chip geometry 1506
Reference document:
MIL-PRF-19500/349
Benefits
Qualification Levels: JAN, JANTX,
JANTXV and JANS
Radiation testing available
T
C
= 25
°
C unless otherwise specified
Rating
50
80
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
V
CEO
V
CBO
Unit
Volts
Volts
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
Volts
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Power Dissipation, T
C
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Thermal Resistance
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
I
C
3
1
A
P
T
5.71
5
28.6
175
W
mW/
°
C
W
mW/
°
C
°
C/W
P
T
R
θ
JA
T
J
T
STG
-65 to +200
°
C
Copyright
2007
Rev. E
SEMICOA
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
www.
SEMICOA
.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3507A | Silicon NPN Transistor |
| 2N3584X | NPN |
| 2N3597 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
| 2N3599 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
| 2N3598 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3507AU4 | 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 |
| 2N3507JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39 |
| 2N3507JANTX | 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39 |
| 2N3507JANTXV | 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39 |
| 2N3507JX | 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TO-39 |
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