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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3583 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 封裝： | TO-66, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2N3583 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4297 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3440 | 1000 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3440 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3442 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3442 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3583 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3583_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS. |
| 2N3584 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3584 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-66 |
| 2N3584JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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