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參數資料
| 型號： | 2N3633 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 6V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|到18 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | 2N3633 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N2784 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | TO-18 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N3634_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RADIATION HARDENED |
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| 2N3634J | 制造商:MINNESOTA MINING AND MFG 功能描述: |
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