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參數資料
| 型號： | 2N3659 |
| 廠商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 170 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | 2N3659 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1723 | 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N4350 | 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N4863 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N1616A | 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N1919 | 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N366 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
| 2N3660 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 30V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3662 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
| 2N3663 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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