型號: | 2N366 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 50mA的一(c)|至22VAR |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 341K |
代理商: | 2N366 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N377A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
2N385 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
2N446A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5 |
2N447A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | TO-5 |
2N1613 | NPN medium power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N3660 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 30V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
2N3661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
2N3662 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
2N3663 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
2N3663_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |