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參數資料
型號: 2N3702-18R
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92-18R, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 406K
代理商: 2N3702-18R
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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2N3703 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -30V -500mA Bulk sistors HFE/150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3703_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
2N3703_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3704 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/300 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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