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參數資料
型號: 2N3708-18R
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92-18R, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 406K
代理商: 2N3708-18R
相關PDF資料
PDF描述
2N3708-5F 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3705TRB 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4410-5F 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4952TRF 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6076-18F 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2N3709 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2N3710 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3711 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3712 制造商:SSI 功能描述:
2N3713 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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